HBM 是什麼？（hbm是什麼 / hbm 是什麼）
HBM（High Bandwidth Memory，高頻寬記憶體）是一種將多個 DRAM 晶粒垂直堆疊、以 TSV（矽通孔）串接的先進記憶體架構。相較傳統 DDR5，HBM4 頻寬高達 2TB/s 以上，能耗降低 50%，專為 AI 加速器（NVIDIA H100/H200/B200、AMD MI300）與 HPC 高效能運算設計。
hbm是什麼的核心優勢：超高頻寬 × 低延遲 × 低功耗，是現代 AI 晶片不可缺少的記憶體解決方案。
直接解答
延伸閱讀：CoWoS 製程流程完整解析
HBM 是什麼？
HBM（High Bandwidth Memory，高頻寬記憶體）是一種將多個 DRAM 晶粒垂直堆疊、以 TSV（矽通孔）串接的先進記憶體架構。相較傳統 DDR5，HBM4 頻寬高達 2TB/s 以上，能耗降低 50%，專為 AI 加速器（NVIDIA H100/H200/B200、AMD MI300）與 HPC 高效能運算設計。台積電 CoWoS 封裝將 HBM 與 GPU 晶片整合於同一封裝基板，實現最短訊號路徑。
Memory Technology高頻寬記憶體如何驅動 AI 革命，以及高速攝影機在 HBM 高頻寬記憶體 堆疊製程中的關鍵角色
High Bandwidth Memory (HBM 高頻寬記憶體) is a revolutionary stacked DRAM technology that provides the massive memory bandwidth required by modern AI accelerators. By stack8, 12, or even 16 DRAM dies vertically and connectthem with Through-Silicon Vias (TSVs), HBM 高頻寬記憶體 delivers bandwidth exceed1 TB/s per stack — orders of magnitude more than traditional DDR memory.
HBM 高頻寬記憶體 透過垂直堆疊多層 DRAM 晶粒並以矽穿孔（TSV）連接，實現超過 1 TB/s 的記憶體頻寬。SK Hynix、Samsung 和 Micron 三大記憶體廠商正在激烈競爭 HBM 高頻寬記憶體3E 和 HBM 高頻寬記憶體4 市場，以滿足 NVIDIA、AMD 等 AI 晶片的龐大需求。
HBM4 技術路線圖：2025-2027 帶寬革命
HBM4 是 SK Hynix、Samsung、Micron 三大記憶體廠商 2026年量產的新世代高頻寬記憶體，帶寬較 HBM3e 翻倍，預計搭載於 NVIDIA Rubin GPU 與 AMD MI400 系列。
| 世代 | 帶寬（/堆） | 容量（最大） | 介面速率 | 代表 AI 晶片 | 量產年份 |
|---|
| HBM2e | 307 GB/s | 16 GB | 3.2 Gbps/pin | NVIDIA A100 | 2020 |
| HBM3 | 819 GB/s | 24 GB | 6.4 Gbps/pin | NVIDIA H100 | 2022 |
| HBM3e | 1,228 GB/s | 36 GB | 9.6 Gbps/pin | NVIDIA B200, AMD MI300X | 2024 |
| HBM4 🔥 | 2,457 GB/s | 48 GB+ | 12+ Gbps/pin | NVIDIA Rubin（2026） | 2025 H2 |
| HBM4e（預計） | ~4,096 GB/s | TBD | ~16 Gbps/pin | NVIDIA 下下代（2027+） | 2027+ |
HBM4 製程挑戰
HBM4 採用 12Hi（12層）堆疊（HBM3e 為 8Hi），TSV 密度增加 50%，每個 Micro-Bump 間距縮至 35μm。對位精度要求提升至 ±1μm，TCB 接合溫度窗口更窄（±5°C），高速攝影監控需求更嚴苛。
台灣 HBM 供應鏈角色
SK Hynix HBM 由台積電 CoWoS 封裝（台中廠），ASE 日月光負責部分 HBM 後段封測。TSMC N2 製程未來也將支援 HBM4 邏輯層（Base Die）製造，預計 2026 年投入量產。
HBM4 高速攝影監控重點
HBM4 的 12Hi 堆疊使 TCB 接合對位挑戰增加。東茂科技建議使用 DITECT HAS-D71（4,000fps, VGA）進行接合動態記錄，或 SSZN SH6-501（6.6Mfps）進行超高速單次事件捕捉。
台灣 HBM 高速攝影監控需求與東茂科技服務
台灣是全球 CoWoS/HBM 封裝最重要的生產基地，TSMC 竹科、中科擴建先進封裝產能。東茂科技 HSC 為台灣半導體廠提供 HBM 製程全段高速攝影解決方案。
HBM TSV 製作監控TSV 鑽孔動態與銅填充均勻性。需 10,000fps 以上，建議 DITECT HAS-EX 或 AOS M-PRI。
Micro-Bump 電鍍品質球高均一性（±1μm）與間距控制。需 20,000fps+，建議 DITECT HAS-D71。
TCB 熱壓接合接合瞬間對位偏移（目標 ±1μm）。需 5,000-718fps，建議 AOS S-EM 或 SSZN SH3。
Underfill 填充監控底膠流動前緣與空洞（Void）偵測。需 2,000-5,000fps，建議 Mega Speed MS 系列。
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HBM 高頻寬記憶體 Evolution
| Generation | | Bandwidth/Stack | Stack Height | Key Users |
|---|
| HBM 高頻寬記憶體2E | 1024-bit | 461 GB/s | 8-Hi | NVIDIA A100 |
| HBM 高頻寬記憶體3 | 1024-bit | 819 GB/s | 8-Hi / 12-Hi | NVIDIA H100 |
| HBM 高頻寬記憶體3E | 1024-bit | 1.2 TB/s | 8-Hi / 12-Hi | NVIDIA H200, B200 |
| HBM 高頻寬記憶體4 | 2048-bit | >1.5 TB/s | 12-Hi / 16-Hi | NVIDIA Rub(2026) |
高速攝影機在 HBM 製程的關鍵監控應用
TSV
Through-Silicon Vias are the vertical connections between stacked DRAM dies. 高速攝影機 (High-Speed Cameras) , sidewall quality, and copper fillof thousands of TSVs per die at production speed.
矽穿孔的蝕刻深度、側壁品質與銅填充的高速檢測。
Thermal Compression Bond
Each DRAM die 高頻寬記憶體 stack is bonded usTCB. 高速攝影機 (High-Speed Cameras) monitor temperature profiles, compression force, and alignment 即時 (Real-Time) to ensure reliable connections across all layers.
HBM 高頻寬記憶體 堆疊中每層 DRAM 的熱壓接合即時監控。
Warpage Monitor
As more dies are stacked, thermal stress causes warpage. High-speed 3D profilometry cameras measure the warpage of the entire stack durand after bondto prevent cracks and delam.
多層堆疊過程中的翹曲即時量測，防止裂紋與分層。
Micro-Bump
The micro-bumps connectthe HBM 高頻寬記憶體 stack to the . 高速攝影機 (High-Speed Cameras) with AI-powered analysis detect subtle defects , height, and coplanarity.
HBM 高頻寬記憶體 與中介層連接微凸塊的 AI 輔助缺陷檢測。
HBM 世代演進：從 HBM1 到 HBM4 的帶寬革命
| 世代 | 帶寬 | 容量 | 主要應用 | 量產時間 |
|---|
| HBM2E | 461 GB/s | 16GB | NVIDIA A100、AMD MI250X | 2019-2022 |
| HBM3 | 819 GB/s | 24GB | NVIDIA H100、Google TPU v5 | 2022-2024 |
| HBM3E | 1.15 TB/s | 36GB | NVIDIA H200、B100/B200 | 2024-2026 |
| HBM4 | 1.6 TB/s+ | 48GB+ | NVIDIA Rubin、次世代 AI 加速器 | 2026+ |
HBM 帶寬從 HBM2E 到 HBM4 提升了 3.5 倍以上，而這一切取決於 TSV（Through-Silicon Via）矽通孔密度的持續提升。HBM4 的 TSV 間距預計縮小至 <5μm，對製程精度要求達到前所未有的水準。
HBM 製程的高速攝影機關鍵監控點
⚙️ TSV 鑽孔品質（Through-Silicon Via）
TSV 孔深超過 50μm、孔徑<5μm，雷射鑽孔過程中的微裂紋、側壁粗糙度異常需要 50,000fps+ 高速攝影機在毫秒內捕捉，避免後段堆疊失效。
🔥 TCB 熱壓接合對位精度
HBM 堆疊達 12 層（HBM3E），每層 TCB 接合需對位精度 <2μm。高速攝影機以 10,000fps 即時監控接合過程，偵測晶粒偏移、溫度分布異常，大幅提升良率。
📐 Warpage 翹曲動態監測
HBM Stack 在升降溫過程中產生翹曲（Warpage），最大可達數十μm。高速攝影機結合數位影像相關法（DIC）實現動態翹曲量測，確保多層堆疊結構完整性。
🔬 Micro-Bump 微凸塊接合
HBM Stack 與邏輯晶片之間透過數萬顆 Micro-Bump 互連，Pitch 縮小至 <40μm。高速攝影機監控焊球成形、橋接缺陷（Bridge），確保 100% 電氣連通。
東茂科技 HSC 提供 DITECT、AOS、SSZN、Mega Speed 等多品牌高速攝影機選型服務，協助台灣 HBM 封測廠建立視覺品質管控體系。
HBM 常見問題（FAQ）
問：HBM3 和 HBM4 的差異是什麼？
答：HBM3（High Bandwidth Memory 3）的頻寬最高達 819 GB/s（每顆），HBM4 則進一步提升至 1.6 TB/s 以上，同時降低功耗密度。HBM4 預計 2025-2026 年進入量產，主要應用於 AI 訓練加速器與下一代 GPU。兩者在封裝技術上均採 3D 堆疊，但 HBM4 改用更先進的 Through Silicon Via（TSV）密度。
問：HBM 封裝製程中需要高速攝影機嗎？
答：是的。HBM 的 Die Bonding、Wire Bonding、CoWoS 封裝等關鍵製程，都需要高速攝影機進行缺陷分析與製程優化。例如銲線弧高偏移、Flip Chip 對位偏差，往往需要 1,000～10,000 FPS 的高速影像才能清楚捕捉。
問：CoWoS 和 HBM 的關係是什麼？
答：CoWoS（Chip on Wafer on Substrate）是台積電的先進封裝技術，HBM 記憶體晶片通常與 GPU/AI 晶片一起封裝在同一個 CoWoS Interposer 上，透過極短距離的連接實現超高頻寬傳輸，是 NVIDIA H100/H200 等 AI 晶片的核心封裝方案。
問：半導體封裝廠如何選擇高速攝影機型號？
答：主要考量：① 製程幀率需求（Wire Bonding 通常需 2,000～5,000 FPS）② 解析度（需清晰捕捉 bond wire 細節）③ 觸發同步（需與製程設備訊號同步）。東茂科技提供免費到廠評估與試拍服務，電洽 04-8857599。
HBM3 vs HBM3e vs HBM4：差異完整比較
搜尋「hbm3 hbm4 差異」的工程師最常問：到底該選哪一代？以下是 2026 年最新規格對照：
| 規格項目 | HBM3 | HBM3e | HBM4（2025+） |
|---|
| 每 stack 頻寬 | 819 GB/s | 1.15 TB/s | 2.0 TB/s+ |
| I/O 速度 | 6.4 Gbps/pin | 9.6 Gbps/pin | 12.8+ Gbps/pin |
| 堆疊層數 | 8 Hi | 8/12 Hi | 12/16 Hi |
| 容量 / stack | 24 GB | 36 GB | 48+ GB |
| 搭載晶片 | NVIDIA H100 | H200、MI300X | Rubin GPU、MI400 |
| 主要供應商 | SK Hynix | SK Hynix、Samsung | SK Hynix、Samsung、Micron |
※ HBM4 規格依各廠商發布時程可能調整，以 JEDEC 最終規範為準。
HBM 封裝核心：TCB 熱壓接合製程是什麼？
HBM 堆疊的關鍵製程是 TCB（Thermal Compression Bonding，熱壓接合）。簡單說，TCB 就是在高溫高壓下，將一層 DRAM 晶粒精準壓合到下一層，確保 TSV（矽通孔）對位誤差控制在 <0.5 μm 以內。
TCB 三大挑戰- 晶粒瞬態對位誤差（熱膨脹導致）
- 接合瞬間的微裂紋擴展
- Copper pillar 接合界面空洞（void）
高速攝影機的角色- 捕捉 TCB 壓合瞬間 <1ms 動態
- 分析晶粒偏移量與方向
- 找出設備振動 / 溫度分布根因
東茂科技代理的 DITECT HAS-D73（最高 15,000fps）與 AOS L-PRI（最高 3,530fps（降解析度模式）），已協助台灣 IC 封裝廠在 TCB 產線上進行瞬態失準根因分析，將 yield loss 率降低 30%+ 。
→ 深入閱讀：HBM3 TCB 熱壓接合高速攝影實案
HBM 台灣概念股（封裝端供應鏈）
搜尋「hbm封裝概念股」的投資人常問：HBM 熱潮下，台灣哪些公司受益？
以封裝端而言，台積電 CoWoS 製程是 HBM 與 GPU 整合的核心，台灣供應鏈的受益點在：
- 先進封裝設備商：TCB 設備精度需求拉動設備需求
- 基板廠：ABF 載板供應吃緊，高多層板廠商受益
- 測試廠：HBM 堆疊後測試複雜度大幅提升
- 高速攝影機應用：封裝製程異常分析需求增加，東茂科技在半導體廠借測需求顯著上升
注意：本站專注於高速攝影機應用技術，個股投資請自行查閱公開財報與法人報告。
HBM 常見問題（FAQ）
HBM 和 GDDR 有什麼不同？
HBM 採垂直堆疊（3D），頻寬比 GDDR6X 高 5-10 倍，但容量較小、成本較高。GDDR 適合一般顯卡，HBM 適合 AI 加速器和 HPC。
HBM4 什麼時候量產？
SK Hynix 已於 2026年啟動 HBM4 量產，Samsung 和 Micron 預計 2025-2026 跟進。首批搭載 NVIDIA Rubin GPU，預計 2026 年大規模出貨。
高速攝影機在 HBM 製程中有哪些具體應用？
主要在 TCB 熱壓接合（捕捉晶粒對位瞬態）、TSV 填充（觀察填充動態）、封裝後翹曲檢測（高速熱循環監控）三個環節。東茂科技可安排到廠借測，電洽 04-8857599。
HBM 常見問題解答
HBM3 和 HBM4 差異是什麼？
| 規格 | HBM3 | HBM4 |
|---|
| 最大頻寬 | 819 GB/s | 1.6+ TB/s |
| 資料速率 | 6.4 Gbps/pin | 12+ Gbps/pin |
| 堆疊層數 | 12 層 | 16 層 |
| 主要應用 | H100/MI300 | B200/下一代 AI GPU |
| TCB 製程 | 熱壓接合 | 混合鍵合（Hybrid Bonding） |
HBM TCB（熱壓接合）是什麼？
TCB（Thermal Compression Bonding，熱壓接合）是 HBM 製程中將 DRAM 晶粒與基板 Micro Bump 精確對位、加熱加壓完成電氣連接的技術。TCB 製程需要高速攝影機監控接合瞬間（溫度 250-300°C、壓力 1-5N），以確認 Bump 融合品質、偵測對位偏差（≤±2μm）。東茂科技 DITECT HAS-EX（10,000fps）是台灣竹科最常用的 TCB 監控機型。
台灣 HBM 封裝概念股有哪些？
台灣 HBM 相關供應鏈（僅供參考，非投資建議）：
• SK 海力士台灣基地：竹科 HBM 封測廠
• 日月光（ASE）：HBM 先進封裝測試
• 京元電子：HBM 測試服務
• 欣銓科技：HBM 晶圓測試
• 矽格：TSV 相關封裝
以上廠商在 HBM 供應鏈中各有不同角色，高速攝影機用於其 TCB 製程品管。
HBM 封裝概念股（台灣 2026）
HBM 製造涉及多道精密製程，「hbm封裝概念股」是半導體投資人常搜尋的主題。以下整理台灣 HBM 供應鏈直接受益廠商：
| 股票 | 公司 | HBM 相關業務 | 切入點 |
|---|
| 2330 | 台積電 (TSMC) | CoWoS 先進封裝、HBM 邏輯晶片製造 | 最上游，獲利最直接 |
| 2338 | 台灣大福 | HBM Stack 測試設備 | 設備商 |
| 3035 | 智原 | HBM 控制器 IP | 設計服務 |
| 6770 | 力成科技 | HBM DRAM 封測（For SK Hynix） | 封測最直接受益 |
| 2449 | 京元電子 | HBM 裸晶測試（Known Good Die） | KGD 測試唯一台廠 |
| 3533 | 嘉澤 | HBM 模組高速連接器 | PCB/連接器 |
| 3443 | 創意電子 | HBM 測試介面晶片設計 | IC 設計服務 |
為什麼高速攝影機與 HBM 概念股有關？
HBM 製造中，TCB（Thermal Compression Bonding）堆疊製程需要毫秒級的接合行為監控。東茂科技的 DITECT HAS-EX 被半導體設備商用來驗證 TCB 對準精度，間接服務上述概念股的供應鏈品質提升。
延伸閱讀：CoWoS 先進封裝完整解析｜HBM3 TCB 製程詳解
HBM 常見問題補充（投資/製程）
▶ HBM 封裝概念股有哪些？台灣供應鏈完整清單（2025）
HBM（高頻寬記憶體）台灣概念股涵蓋 SK 海力士、三星、美光的台灣供應鏈廠商：
- 日月光投控（3711）：HBM 封裝測試，SK 海力士主要封測夥伴
- 力成科技（6239）：HBM 模組封裝
- 欣興電子（3037）：ABF 載板，HBM 基板關鍵供應商
- 南茂科技（8150）：HBM 晶片測試
- 台灣美光（Micron 台灣廠）：HBM4 在台灣生產
東茂科技提供上述廠商 TCB（熱壓焊接）製程高速攝影監控設備，協助提升 HBM 堆疊良率。聯繫借機評估 →
▶ HBM TCB 熱壓焊（Thermal Compression Bonding）是什麼？
TCB（Thermal Compression Bonding，熱壓接合）是 HBM Die 堆疊的核心製程技術：
- 溫度：200–400°C（視 Bump 材料：SnAg 或 Cu Pillar）
- 壓力：數十至數百克力，精確施壓確保 Micro Bump 全面接合
- 時間：每層接合 0.5–3 秒，完成 8-Hi 堆疊需 30 秒以內
- 關鍵挑戰：對位精度（<2μm）、熱膨脹補償、接合後翹曲控制
高速攝影機在 TCB 製程的應用：捕捉微凸塊接合瞬間（需 10,000fps 以上），確認接合均勻性與潛在失效點。了解高速攝影 TCB 監控 →
▶ HBM memory 和 GDDR 記憶體有什麼差別？
| 規格 | HBM4 | GDDR7 |
|---|
| 頻寬 | 2 TB/s+ | 1.8 TB/s |
| 封裝 | 2.5D（矽中介層） | 標準 PCB |
| 功耗 | 低（近 GPU） | 高（長距離傳輸） |
| 應用 | AI 訓練（H100/B200） | 遊戲 GPU |
常見問題：hbm3 hbm4 差異
問：HBM3 與 HBM4 差異是什麼？
答：HBM4 相較 HBM3 最大差異在於頻寬翻倍：I/O 介面從 1024-bit 擴展至 2048-bit，每堆疊頻寬由 HBM3 的 819 GB/s 提升至 HBM4 的 1.6-2.0 TB/s，堆疊層數支援 16-Hi，單顆容量上看 64GB，並改善功耗效率，專為 AI 大模型訓練與 HPC 設計。
問：為什麼 HBM4 檢測需要高速攝影機？
答：HBM4 採 2048-bit 寬介面與 16-Hi 堆疊，TSV 矽穿孔與微凸塊鍵合製程極度精密，任何氣泡、對位偏移或熱壓瞬間裂紋都會導致整顆失效。高速攝影機可在微秒等級捕捉鍵合瞬態、雷射切割火花與封裝應力變形，是良率分析不可或缺的工具。
問：HBM 封裝製程檢測建議多少 fps？
答：建議至少 10,000 fps 起跳觀察 TC-NCF 熱壓鍵合行為;雷射開孔、Reflow 焊錫噴濺等瞬態現象則需 50,000-100,000 fps 以上。若要分析微裂紋擴展或 TSV 電遷移,需搭配百萬 fps 機型並結合同步觸發與高解析微距鏡頭。
問：想評估 HBM 產線用高速攝影機,可以先借機試用嗎?
答：可以。東茂科技提供 HBM3/HBM4 封裝檢測專用借機服務,配備高解析度鏡頭組,工程師到場協助參數調校與影像分析。歡迎來電 04-8857599 或至 https://hsc.tw 洽詢免費 Demo 與報價。
🔬 半導體先進封裝推薦機種
針對 CoWoS / HBM / Wire Bonding 製程檢測，東茂科技代理的以下機種為台灣半導體客戶實測驗證：
SSZN SH6
SH6-201 系列
2048×1024 @ 1,000fps，10GbE 傳輸，整合 AI 推論模組，適合 HBM 堆疊缺陷即時檢測
查看完整規格 →
AOS 瑞士軍規
L-VIT / M-VIT 系列
2,500–3,716fps 全解析度，200G 抗衝擊軍規，GigE/10GbE，適合 CoWoS 熱壓接合瞬時動作捕捉
AOS 全系列 →
DITECT 日本精密
HAS-EX 旗艦款
1920×1080 @ 2,000fps，USB3/GigE，PIV 同步精度 <1μs，Wire Bonding 製程常用機型
查看規格 →
常見問題：hbm3 vs hbm4
問：HBM3 vs HBM4 差異是什麼？
答：HBM4 相比 HBM3 頻寬翻倍達 2TB/s、I/O 通道由 1024 增至 2048、堆疊層數提升至 16 層、容量最高 64GB，功耗效率改善約 40%。HBM3 主流用於 H100 等現役 AI 加速器，HBM4 將於 2026 年導入 NVIDIA Rubin、AMD MI400，是下世代生成式 AI 與 HPC 的記憶體標配。
問：HBM4 為什麼需要高速攝影機檢測？
答：HBM4 採 16 層 3D 堆疊與混合鍵合（Hybrid Bonding）製程，TSV 接點間距縮小至 6μm 以下，任何微裂紋或熱膨脹異常都會導致整顆 DRAM 報廢。透過 10,000fps 以上高速攝影機可即時捕捉鍵合瞬間的振動、應力與對位偏移，是良率提升的關鍵檢測手段。
問：檢測 HBM 封裝需要多少 fps 的高速攝影機？
答：建議至少 5,000fps @ 1080p 起跳，若要觀察 TSV 雷射鑽孔或雷射退火瞬間動態，需 20,000fps 以上；監控 Bonding Head 下壓行為則 1,000fps 足夠。東茂代理 Photron、Mega Speed 全系列可達 400,000fps（降解析度模式），滿足 HBM3/HBM4 產線所有檢測需求。
問：想評估高速攝影機導入 HBM 產線，東茂有提供試用嗎？
答：有！東茂儀器提供 HBM 封裝廠「免費到廠借機試用」，由原廠認證工程師攜帶 Photron FASTCAM 或 Mega Speed 至貴司產線實拍，提供專屬檢測方案與報價。立即洽詢 Alex Chen：alex@dongmao.com.tw｜+886-933-451-343，或致電 04-8857599 預約 Demo。
常見問題
HBM3 和 HBM4 有什麼差異？
HBM4 的頻寬速度達到 1.2TB/s，比 HBM3 的 819GB/s 提升約 47%。HBM4 採用更先進的製程技術，功耗效率也比 HBM3 改善了 25% 以上，更適合 AI 運算和高速攝影等應用。
什麼是 HBM 高頻寬記憶體？
HBM（High Bandwidth Memory）是一種 3D 堆疊記憶體技術，將多層 DRAM 垂直堆疊並透過 TSV（矽穿孔）連接。相比傳統 DDR 記憶體，HBM 能提供 10 倍以上的頻寬效能，特別適合需要大量資料處理的應用。
HBM 記憶體的製程技術有哪些特點？
HBM 採用先進的 3D 堆疊製程，通常使用 10nm 以下製程節點製造。每個 HBM 模組可堆疊 4-16 層 DRAM，透過數千個微米級的 TSV 進行垂直連接，封裝厚度僅約 0.7mm。
台灣有哪些 HBM 概念股值得關注？
主要包括封測廠如日月光、矽品，以及記憶體相關的南亞科、華邦電等。設備廠商如弘塑、辛耘也受惠於 HBM 製程需求，年相關產業產值將成長 150% 以上。
高速攝影機如何運用 HBM 技術優勢？
高速攝影機需要即時處理大量影像資料，HBM 的超高頻寬能支援每秒百萬幀的影像擷取和處理。東茂科技專精高速攝影設備，如需了解 HBM 技術在高速攝影的應用，歡迎來電 04-8857599 諮詢。
